mérnök-fizikus, a Stanford Egyetemi kutató csoport vezetője

1973-ban született Brassóban. Mérnök–fizikus oklevelét a kolozsvári Babes-Bolyai Egyetemen szerezte, majd a stockholmi Királyi Technikai Főiskola Fizika Tanszékén doktori címet nyert. Posztdoktori tanulmányait a Los Angeles-i UCLA egyetemen folytatta, majd a Stanford Egyetem Villamosmérnöki Tanszékén vezető kutatómérnök lett. Kutatói munkássága technológiailag fontos anyagok elektronszerkezetének és funkcionalitásának kvantummechanikai modellezésére, valamint ezen anyagok gyakorlati alkalmazásának elősegítésére irányul. A napjaink elektronikájában beépített nanométer vastagságú oxid rétegek határfelületeinek optimalizálását és a rezisztív memóriák (memrisztorok) elektronikai tulajdonságainak elemzését, úgy az iparban, mint az akadémiában, világszerte használják. Számos nemzetközi konferencia bírálóbizottsági tagja, mint az IEEE által évente megrendezett IEDM és SISPAD, valamint az ECS és az európai ESSDERC szervezeteknek. Több szakfolyóirat szerkesztőtestületének tagja, 2017-ben főszerkesztője volt a Springer által kiadott memóriákra összpontosuló JCEL fókusz kiadványának. Tudományos munkásságát több mint 90 cikke, 2 könyvfejezete, valamint nemzetközi konferenciákon, egyetemeken és az iparban tartott 35 feletti meghívott előadása összegezi.

A díjat a mesterséges intelligencia területének fejlődésében központi szerepet betöltő neurális hálózati rendszerek hatékony működéséhez szükséges - nanoméretű rezisztív memória (Resistive Random Access Memory – R.R.A.M.) készülékek fejlesztésben végzett munkájáért nyerte el, különösen az atomisztikus hatások vizsgálatát lehetővé tevő, a sűrűségfunkcionált elmélet alkalmazásával kidolgozott kvantummechanikai számításaiért.

Ez jelentős áttörést eredményezett a napjainkban piacra kerülő drónokban, robotikában, okoskamerákban és a virtuális valóság termékekben, valamint az önállóan közlekedő autókban és repülőgépekben is alkalmazott memrisztorok gyártása során azok mérete, sebessége, és áramfelvétele optimalizálása terén.